Depletion-Type Mosfets

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. TUJUAN

2. KOMPONEN

3. DEPLETION TYPE MOSFETs

4. PRINSIP KERJA

5. GAMBAR RANGKAIAN

6. VIDEO TUTORIAL

7. CONTOH SOAL

8. LINK DOWNLOAD

A. TUJUAN
[KEMBALI]

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch

 B. KOMPONEN

[KEMBALI]

1. Resistor


Resistor atau hambatan adalah salah satu komponen elektronika yang memiliki nilai hambatan tertentu, dimana hambatan ini akan menghambat arus listrik yang mengalir melaluinya.

Mencari Nilai Resistor dengan Kode Warna

1.     Resistor Dengan 4 Cincin Kode Warna

Maka cincin ke 1 dan ke 2 merupakan digit angka, dan cincin kode warna ke 3 merupakan faktor pengali kemudian cincin kode warnake 4 menunjukan nilai toleransi resistor.

2.     Resistor Dengan 5 Cincin Kode Warna

Maka cincin ke 1, ke 2 dan ke 3 merupakan digit angka, dan cincin kode warna ke 4 merupakan faktor pengali kemudian cincin kode warna ke 5 menunjukan nilai toleransi resistor.

3.     Resistor Dengan 6 Cincin Warna

Resistor dengan 6 cicin warna pada prinsipnya sama dengan resistor dengan 5 cincin warna dalam menentukan nilai resistansinya. Cincin ke 6 menentukan coefisien temperatur yaitu temperatur maksimum yang diijinkan untuk resistor tersebut.

2. Mosfet
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik.


   

C. DEPLETION TYPE MOSFETs
[KEMBALI]

Persamaan Shockley  berlaku untuk deplesi-jenis MOSFET hasil dalam persamaan yang sama untuk gm. Model ekivalen ac untuk D-MOSFET persis sama dengan yang digunakan untuk JFET seperti yang ditunjukkan pada Gambar 9.33

Satu-satunya perbedaan yang ditawarkan oleh D-MOSFET adalah bahwa VGSQ dapat positif untuk nperangkat-channel dan negatif untuk punit-channel. Hasilnya adalah bahwa gm dapat lebih besar dari gm0 seperti yang ditunjukkan oleh contoh untuk diikuti. Kisaran rd sangat mirip dengan yang dihadapi untuk JFET. 

D. PRINSIP KERJA
[KEMBALI]

Kerja MOSFET bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban  didorong ke bawah dengan substrat.
Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor. Elektron mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n dan mengalirkan daerah ke saluran. Jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan sumber, arus mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang mengendalikan elektron di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan terbentuk di bawah lapisan oksida.

E. GAMBAR RANGKAIAN
[KEMBALI]

 
F. VIDEO TUTORIAL
[KEMBALI]

 
G. CONTOH SOAL
[KEMBALI]

1. Jaringan Gambar 9.34 dianalisis sebagai Contoh 6.8, menghasilkan VGSQ= 0,35 V dan IDQ= 7,6 mA. (a) Tentukan gm dan dibandingkan dengan gm0.(b) Temukan rd. (c) Buat sketsa jaringan setara ac untuk Gambar 9.34. (d) Temukan Zi .  (e) Hitung Zo. (f) Temukan Av 

 
 

(c) Lihat Gambar 9.35. Perhatikan kemiripan dengan jaringan pada Gambar 9.23. Oleh karena itu,berlaku 

 

H. LINK DOWNLOAD 
[KEMBALI]
1. Materi klik di sini
2. Gambar rangkaianklik di sini
3. Video tutorialklik di sini
4. Simulasi proteusklik di sini
5. Datasheet klik di sini